Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM110N04

SUM110N04-2M1P-E3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SUM110N04-2M1P-E3, 40V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET'tir. 110A veri taşıma kapasitesi (Tc) ve 29A sürekli akım (Ta) değerleriyle yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 2.1mΩ RDS(on) direnci düşük güç kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18800 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok