Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH5250DTR2PBF
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH5250
IRFH5250DTR2PBF Hakkında
IRFH5250DTR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ile maksimum 40A (Ta) veya 100A (Tc) sürekli drenaj akımını destekler. RDS(on) değeri 1.4mΩ olup, 50A akım ve 10V gate geriliminde ölçülmüştür. Gate eşik gerilimi 2.35V'tur. Surface Mount 8-PowerVDFN (5x6mm) paketinde sunulur. Düşük on-resistance özellikleri sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Kompakt boyutu ve yüksek akım kapasitesi taşıyıcı ve mobil cihaz güç yönetimi sistemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6115 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok