Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMP6A17N8TC

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMP6A17N

ZXMP6A17N8TC Hakkında

ZXMP6A17N8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim, 2.7A sürekli drenaj akımı ve 125mOhm RDS(on) değerleri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montajlı paket ile küçük alan gerektiren tasarımlara uyumludur. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, load switch uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 10V gate sürüm geriliminde 1V eşik gerilimi ile düşük sürüm gücü gerektiren uygulamalara elverişlidir. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olmakla birlikte, ürün üretimden kaldırılmış olup yedek temin edilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 637 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok