Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMP6A13FQTA

MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
ZXMP6A13

ZXMP6A13FQTA Hakkında

ZXMP6A13FQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-channel MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ile 900mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V Vgs'de 400mOhm maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 (TO-236) surface mount paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük seviye sinyallerle kontrollü anahtarlama, motor sürücüleri, güç yönetimi ve enerji hasat uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 625mW maksimum güç tüketimi ve 2.9nC gate charge değeri hızlı anahtarlama gerektiren devreler için avantajlıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 219 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 900mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok