Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMP10A17GQTC

MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZXMP10A17G

ZXMP10A17GQTC Hakkında

ZXMP10A17GQTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, SOT-223 yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. 450mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, voltage regulator devreleri, load switching, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10.7nC gate charge ve 424pF input capacitance değerleri hızlı ve verimli anahtarlama için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 1.2A, 6V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok