Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMNS3BM832TA
MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMNS3BM832
ZXMNS3BM832TA Hakkında
ZXMNS3BM832TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında geliştirilmiş performans sunar. 8-VDFN paket tipi, yüzey montajı için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 1W maksimum güç dissipasyonu ile kompakt tasarımlar için ideal bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 314 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok