Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN7A11GTA

MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA Hakkında

ZXMN7A11GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 70V Drain-Source gerilimi ve 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 130mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-223 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. ±20V Gate gerilimi aralığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve genel amaçlı dijital devreler ile analog arayüz uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 70 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 298 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok