Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN6A25G
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN6A25G
ZXMN6A25G Hakkında
ZXMN6A25G, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 4.8A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 50mOhm maksimum on-direnci (10V gate voltajında) ile düşük ısı kaybı sağlar. SOT-223 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarında kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç denetimi, motor sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 2W güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1063 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok