Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN6A11GTC

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC Hakkında

ZXMN6A11GTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.1A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-223 yüzey montajı paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyarlanabilir. Gövde sıcaklığı -55°C ile 150°C arasında çalışır. PWM kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve genel-amaçlı lojik seviyesi sürücü uygulamalarında tercih edilir. 2W maksimum güç yayılması kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok