Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN6A09KQTC

MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN6A09K

ZXMN6A09KQTC Hakkında

ZXMN6A09KQTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 11.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 40mOhm (10V, 7.3A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Endüstriyel motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 4.5V ve 10V sürücü gerilimi seçenekleriyle farklı uygulama gereksinimlerine uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1426 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 10.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 7.3A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok