Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN6A09GQTA
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN6A09G
ZXMN6A09GQTA Hakkında
ZXMN6A09GQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, SOT-223 SMD paketinde sunulmaktadır. 40mΩ (10V, 8.2A) düşük on-resistance değeri sayesinde enerji kaybı minimalize edilerek anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bileşen, 2W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve ±20V gate gerilim toleransına sahiptir. Hızlı anahtarlama karakteristiği (24.2nC gate charge) ile düşük kapasite değerleri embedded sistemlerde ve portable elektronik cihazlarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1407 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok