Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN6A08KTC

MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN6A08K

ZXMN6A08KTC Hakkında

ZXMN6A08KTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 5.36A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Gate charge değeri 5.8nC olup hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. Şarj denetleyicileri, motor kontrol, güç anahtarlaması ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.36A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 459 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok