Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN6A08GQTA
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN6A08G
ZXMN6A08GQTA Hakkında
ZXMN6A08GQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-223 yüzey montaj paketi, kompakt tasarımlarda entegre edilmeye uygun olan cihazlarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge karakteristikleri hızlı anahtarlama işlemleri için elverişlidir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 459 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok