Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN6A08E6TA
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN6A08E6
ZXMN6A08E6TA Hakkında
ZXMN6A08E6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 80mΩ tipik on-resistance değeriyle batarya yönetimi, güç denetim devreleri, motor sürücüleri ve LED uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam şartlarında kullanımına olanak tanır. 1.1W maksimum güç tüketimi ve düşük geçiş kapasitansı (Ciss: 459pF) hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özellikleri içerir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 459 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok