Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN6A07FQTA

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN6A07F

ZXMN6A07FQTA Hakkında

ZXMN6A07FQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 60V drain-source voltaj desteği ile çalışır. 1.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, 250mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenilir şekilde çalışır. 3.2nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Düşük voltajlı anahtarlama uygulamaları, inverterler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı switching konfigürasyonlarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 166 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok