Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN3B04N8TA
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TA Hakkında
ZXMN3B04N8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 7.2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 25mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç anahtarlaması, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile batarya yönetim sistemleri ve mobil cihazlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2480 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok