Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN3A14FQTA

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA Hakkında

ZXMN3A14FQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim, 3.9A sürekli drain akımı ve 65mOhm (10V, 3.2A'de) on-resistance özellikleriyle kompakt uygulamalarda kullanılır. SOT-23-3 paket formatıyla yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve düşük güçlü DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. 2.2V kapı eşik gerilimi ve düşük kapı yükü (8.6nC @ 10V), hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 448 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok