Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN3A02N8TA
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN3A02N
ZXMN3A02N8TA Hakkında
ZXMN3A02N8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli drain akımı ile çalışır. 8-SO yüzey montaj paketi içinde sunulur. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 1V @ 250µA olarak belirlenmiştir. 10V gate geriliminde 26.8nC gate yükü ve 1400pF input kapasitans özelliklerine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve lojik seviye kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 1.56W güç disipasyonu yapabilir. ±20V maksimum gate-source gerilim toleransına sahiptir. Bileşen güncel olarak üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok