Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN3A01FTC

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC Hakkında

ZXMN3A01FTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 120mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge karakteristiğiyle (3.9nC @ 10V), güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 625mW maksimum güç dağılımı ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok