Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN3A01E6TA

MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
ZXMN3A01E6

ZXMN3A01E6TA Hakkında

ZXMN3A01E6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 2.4A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, 120mOhm RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine sahiptir. 10V gate voltajında 3.9nC gate charge karakteristiğiyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Surface mount SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devreleri için kullanılır. Düşük güç tüketimi ve kompakt tasarımı gömülü sistemler ile taşınabilir cihazlarda tercih edilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok