Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN2F34MATA

MOSFET N-CH 20V 4A DFN322

Paket/Kılıf
3-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
ZXMN2F34

ZXMN2F34MATA Hakkında

ZXMN2F34MATA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. DFN322 (3-PowerVDFN) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi uygulamalarında anahtarlama ve sinyal kontrolü görevleri için kullanılır. 60mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 1.35W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle, mobiliteleri kontrol değerleri ve düşük genişlik uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 277 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package DFN322
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok