Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN2F30FHQTA
MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN2F30F
ZXMN2F30FHQTA Hakkında
ZXMN2F30FHQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 4.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 45mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate kapasitesi (452 pF) hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve düşük voltajlı doğru akım denetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 452 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok