Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN2A03E6TA

MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
ZXMN2A03E6

ZXMN2A03E6TA Hakkında

ZXMN2A03E6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (55mOhm @ 4.5V) sayesinde güç kayıplarını minimize eder. SOT-23-6 paket tipinde tasarlanmış olup yüksek yoğunluklu uygulamalarda yer tasarrufu sağlar. ±12V gate gerilimi aralığında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, 1.1W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve consumer uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 837 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok