Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN2A02N8TA
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN2A02N8TA
ZXMN2A02N8TA Hakkında
ZXMN2A02N8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim ve 8.3A sürekli drain akımı yeteneğine sahiptir. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlayan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Surface mount 8-SO paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 18.9nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok