Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN2A01FTC

MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN2A01

ZXMN2A01FTC Hakkında

ZXMN2A01FTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış olup, 1.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V kontrol geriliminde 120mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında uygulanmasını mümkün kılar. Güç denetimi, anahtarlama devreleri ve düşük gerilim uygulamalarında kullanılır. Cihazın kullanımdan çıkartılmış (obsolete) statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşen tercih edilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 303 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok