Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN2A01FTA
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN2A01F
ZXMN2A01FTA Hakkında
ZXMN2A01FTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli akım kapasitesi ile kompakt uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 4.5V gate geriliminde 120mOhm Rds(On) değeri ve 3nC gate yükü sayesinde anahtarlama hızlı ve verimli bir şekilde gerçekleşir. SOT-23-3 yüzey montajlı paket, küçük form faktöre ihtiyaç duyulan tasarımlarda tercih edilir. Giriş kapasitansi 303pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. LED sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 303 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 625mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok