Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN2A01E6TA
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN2A01E6
ZXMN2A01E6TA Hakkında
ZXMN2A01E6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 120mOhm on-state direnç (Rds On) ile verimli komütasyon sağlar. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 3nC ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Tüketici elektroniği, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 303 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok