Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN20B28KTC

MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN20B28K

ZXMN20B28KTC Hakkında

ZXMN20B28KTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 750mΩ tipik RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate kapasitansi 358pF (@25V) ve gate yükü 8.1nC (@5V) olarak belirtilmiştir. 2.2W maksimum güç dissipasyonuna dayanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 358 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok