Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10B08E6
ZXMN10B08E6TA Hakkında
ZXMN10B08E6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 1.6A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 10V gate geriliminde 230mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate eşik gerilimi 3V olup, -55°C ile 150°C arasında çalışmaktadır. Maksimum 1.1W güç yayılımı kapasitesi ile batarya koruması, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.3V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 497 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok