Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN10A25KTC

MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC Hakkında

ZXMN10A25KTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 4.2A sürekli drain akımı (Id) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 125mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 17.16nC gate charge özellikleri ile anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve AC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımında alan tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 859 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok