Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN10A25K
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10A25K
ZXMN10A25K Hakkında
ZXMN10A25K, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 4.2A sürekli akım kapasitesiyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ on-state direncine sahip olup, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlama gerektiğinde tercih edilen elektrik özellikleriyle donatılmıştır. Obsolete durumdadır; yeni tasarımlarda güncel alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 859 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.11W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok