Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN10A11KTC

MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN10A11K

ZXMN10A11KTC Hakkında

ZXMN10A11KTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj derecelendirmesine ve 2.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 350mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalar için uygunudur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel amaçlı DC anahtarlama tasarımlarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. Düşük kapı yükü (5.4nC) hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 274 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok