Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN10A11K
MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10A11K
ZXMN10A11K Hakkında
ZXMN10A11K, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) SMD paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında kullanılabilir. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 350mOhm olup, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 274 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.11W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok