Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN10A11GTC
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10A11G
ZXMN10A11GTC Hakkında
ZXMN10A11GTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.7A sürekli dren akımı ile çalışır. 6V-10V drive voltage aralığında 350mΩ on-resistance değerine sahiptir. SOT223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 5.4nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 274 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok