Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN10A11GTA
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10A11G
ZXMN10A11GTA Hakkında
ZXMN10A11GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 350mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-223 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde çeşitli ortamlarda güvenilir işlem yapar. 5.4nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansını destekler. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve enerji dönüşüm sistemlerinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 274 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok