Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXMN10A09KTC

MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ZXMN10A09K

ZXMN10A09KTC Hakkında

ZXMN10A09KTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. 85mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 4V eşik gerilimi özellikleriyle CMOS ve dijital mantık devrelerine kolay entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1313 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok