Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN10A08GTA
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10A08G
ZXMN10A08GTA Hakkında
ZXMN10A08GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj yeteneği ve 2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 250mΩ maximum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-223 yüzey montajlı pakete sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Motor kontrolleri, güç dağıtım sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve diğer anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 6V ve 10V gate drive voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok