Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXMN10A08E6TC
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10A08E6
ZXMN10A08E6TC Hakkında
ZXMN10A08E6TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 1.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6V ve 10V sürüş voltajında düşük açık durumu direnci (250mOhm @ 10V) sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır. 1.1W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok