Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXM66P02N8TC
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXM66P02N8TC
ZXM66P02N8TC Hakkında
ZXM66P02N8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, 25mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1.56W maksimum güç tüketimi ile enerji verimliliği gerektiren tasarımlara uygundur. Not: Bu ürün artık üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2068 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok