Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZXM66P02N8TA
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZXM66P02N8
ZXM66P02N8TA Hakkında
ZXM66P02N8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 6.4A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SO (8-pin Small Outline) yüzey monte pakette sunulur. RDS(on) değeri 25mOhm (4.5V, 3.2A koşullarında) olup, düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 1.56W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 43.3nC olup, hızlı anahtarlama davranışı sağlar. Obsolete durumundaki bu bileşen, stok kalan uygulamalarda bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2068 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok