Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXM62P03GTA

MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZXM62P03

ZXM62P03GTA Hakkında

ZXM62P03GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 2.9A (Ta) / 4A (Tc) sürekli drain akımı ile entegre devrelerde anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 150mΩ maksimum on-state direnci, düşük gate charge (10.2nC @ 10V) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile güç yönetimi, load switching ve elektronik kontrol sistemlerinde kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketi, kompakt tasarımlarda pratik uygulamaya olanak sağlar. Maksimum 2W güç dağılımı kapasitesi ile batarya çalışan cihazlar, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta), 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok