Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXM62P03E6TA

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26

Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
ZXM62P03E6

ZXM62P03E6TA Hakkında

ZXM62P03E6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 150mΩ on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, invertör tasarımlarında ve düşük gerilim sistemi kontrollerinde tercih edilir. Düşük gate yükü (10.2nC @ 10V) ve sınırlı input kapasitansı (330pF @ 25V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Maksimum 625mW güç tüketimi ile kompakt ve verimli çözümler sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-26
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok