Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZXM61P03FTC

MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
ZXM61P03F

ZXM61P03FTC Hakkında

ZXM61P03FTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 350mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde, 600mA akımda) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 625mW güç yayılım kapasitesine sahiptir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve batarya yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok