Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZVNL110GTA

ZVNL110GTA Hakkında

ZVNL110GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 600mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-223 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 3Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük hızlı anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 1.1W maksimum güç tüketimine sahiptir. Gövde kapasitanası 75pF'dir. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol seviyesi ve 1.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok