Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZVN4210GTA
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZVN4210G
ZVN4210GTA Hakkında
ZVN4210GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 800mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223 SMD paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı geriliminde 1.5Ω'luk düşük RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama devreleri, düşük sinyal yükseltme uygulamaları, güç yönetimi ve motor kontrol gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 2W maksimum güç tüketimi ile enerji etkinliği sunar. ±20V maksimum kapı gerilimi ve 2.4V kapı eşik gerilimi ile güvenilir komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok