Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZVN4206GVTC

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZVN4206G

ZVN4206GVTC Hakkında

ZVN4206GVTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. 5V ve 10V gate sürme geriliminde maksimum 1Ω on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrolü, anahtarlama devreleri ve düşük seviyeli sinyal işlemede uygulanır. 2W maksimum güç tüketimi ile termal yönetim kolaylığı sunar. Kısaca, bu komponent basit ve güvenilir anahtarlama çözümleri için tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok