Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZVN4206GVTA

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZVN4206G

ZVN4206GVTA Hakkında

ZVN4206GVTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Vdss (Drain-Source gerilimi) ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 10V Vgs'te maksimum 1Ohm Rds(on) değerine sahiptir. SOT-223 yüzey montaj paketi ile sağlanan bu bileşen, düşük güç anahtarlama uygulamalarında, voltaj regülatörlerinde, güç yönetimi devrelerinde ve lojikal kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 2W maksimum güç dağılımı kapasitesi, çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun hale getirmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok