Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZVN2110GTC
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZVN2110G
ZVN2110GTC Hakkında
ZVN2110GTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source geriliminde 500mA sürekli akım kapasitesine sahiptir. SOT-223 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 4Ω maksimum RDS(on) değerine ulaşır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 2W maksimum güç tüketimi ile karakterize edilir. Düşük input kapasitanesi (75pF @ 25V) ve 2.4V threshold gerilimi, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. LED sürücüleri, relay kontrolleri, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok