Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ZVN2110GTA

MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZVN2110G

ZVN2110GTA Hakkında

ZVN2110GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarına uygundur. 10V gate sürücü voltajında 4Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıpla çalışır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulur. Endüstriyel kontrol devreleri, DC motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 2W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok