Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZDX080N50
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZDX080N50
ZDX080N50 Hakkında
ZDX080N50, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 850mOhm maksimum on-state direnci ve 10V gate sürücü voltajı ile verimli şekilde çalışır. ±30V gate-source voltaj aralığı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok